Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.1’760.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 26. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.0.704CHF.1’753.50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-5241
Herst. Teile-Nr.:
BSO080P03SHXUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

PG-DSO-8

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-0.82V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-102nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Breite

40 mm

Höhe

1.5mm

Länge

40mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.

Logikpegel

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Verstärkungsmodus

Verwandte Links