Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5241
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.2’810.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.1.124 | CHF.2’803.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5241
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -14.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -102nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 40 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 40mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -14.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -102nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 40 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 40mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
Logikpegel
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Verstärkungsmodus
Verwandte Links
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin DSO
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin BSO201SPHXUMA1 DSO
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin BSO301SPHXUMA1 PG-DSO-8
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon OptiMOSTM Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 96 W, 8-Pin ISC011N03L5SATMA1
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.9 A 3.2 W, 8-Pin SO-8