Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-909
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.40
Auf Lager
- 4’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.04 | CHF.10.36 |
| 100 - 240 | CHF.0.987 | CHF.9.84 |
| 250 - 490 | CHF.0.914 | CHF.9.10 |
| 500 - 990 | CHF.0.84 | CHF.8.38 |
| 1000 + | CHF.0.809 | CHF.8.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-909
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, IEC61249‐2‐21 | |
| Länge | 6.2mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie ISA | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, IEC61249‐2‐21 | ||
Länge 6.2mm | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
Verwandte Links
- Infineon ISA Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170170N04LMDSXTMA1 PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin ISA250300C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8
- Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin ISA150233C03LMDSXTMA PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin BSO301SPHXUMA1 PG-DSO-8
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon Spannungsregler 45V PG-DSO-8, 8-Pin
- Infineon Spannungsregler 42V PG-DSO-8, 8-Pin