Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170230C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8

RS Best.-Nr.:: 348-909
Herst. Teile-Nr.:: ISA170230C04LMDSXTMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170230C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8

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RS Best.-Nr.:: 348-909
Herst. Teile-Nr.:: ISA170230C04LMDSXTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PG-DSO-8
	Serie	ISA
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	29.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	JEDEC, IEC61249‐2‐21
	Höhe	1.75mm
	Breite	5 mm
	Länge	6.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PG-DSO-8
	Serie ISA
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 29.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen JEDEC, IEC61249‐2‐21
	Höhe 1.75mm
	Breite 5 mm
	Länge 6.2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISA170230C04LMDSXTMA1

Ursprungsland:: CN

Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170230C04LMDSXTMA1 PG-DSO-8

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