Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin ISA220280C03LMDSXTMA1

RS Best.-Nr.:: 348-904
Herst. Teile-Nr.:: ISA220280C03LMDSXTMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin ISA220280C03LMDSXTMA1

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RS Best.-Nr.:: 348-904
Herst. Teile-Nr.:: ISA220280C03LMDSXTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	ISA
	Gehäusegröße	PG-TO252-3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	22mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.2mm
	Höhe	1.75mm
	Breite	5 mm
	Normen/Zulassungen	IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie ISA
	Gehäusegröße PG-TO252-3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.2mm
	Höhe 1.75mm
	Breite 5 mm
	Normen/Zulassungen IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISA220280C03LMDSXTMA1

Ursprungsland:: CN

Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

Infineon ISA Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.4 A 2.5 W, 3-Pin ISA220280C03LMDSXTMA1

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