Infineon ISA Zweifach N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 7.9 A 2.5 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 348-910
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.452 | CHF.9.07 |
| 200 - 480 | CHF.0.431 | CHF.8.63 |
| 500 - 980 | CHF.0.399 | CHF.7.98 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-910
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA250250N04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 3 Leistungstransistor von Infineon ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, was zur Verringerung der Leitungsverluste und zur Steigerung der Gesamteffizienz des Systems beiträgt. Darüber hinaus bietet der Transistor eine überragende thermische Beständigkeit, die ein besseres Wärmemanagement und Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Kombination von Merkmalen macht ihn ideal für Anwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung und thermische Leistung erfordern.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
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