Infineon ISA Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.6 A 2.5 W, 8-Pin ISA170170N04LMDSXTMA1 PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-912
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.557 | CHF.11.05 |
| 200 - 480 | CHF.0.525 | CHF.10.50 |
| 500 - 980 | CHF.0.483 | CHF.9.72 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.452 | CHF.8.95 |
| 2000 + | CHF.0.431 | CHF.8.61 |
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- RS Best.-Nr.:
- 348-912
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | ISA | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC Standard | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie ISA | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC Standard | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 3 Leistungstransistor von Infineon ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, was zur Verringerung der Leitungsverluste und zur Steigerung der Gesamteffizienz des Systems beiträgt. Darüber hinaus bietet der Transistor eine überragende thermische Beständigkeit, die ein besseres Wärmemanagement und Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Kombination von Merkmalen macht ihn ideal für Anwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung und thermische Leistung erfordern.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
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