Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-906
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 348-906
- Herst. Teile-Nr.:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.2mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.2mm | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.
100 % Avalanche-getestet
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
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