Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin ISA150233C03LMDSXTMA PG-DSO-8

RS Best.-Nr.:: 348-906
Herst. Teile-Nr.:: ISA150233C03LMDSXTMA
Marke:: Infineon

Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin ISA150233C03LMDSXTMA PG-DSO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.13.02

Auf Lager

4’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 180	CHF.0.651	CHF.13.00
200 - 480	CHF.0.62	CHF.12.35
500 +	CHF.0.567	CHF.11.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 348-906
Herst. Teile-Nr.:: ISA150233C03LMDSXTMA
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	ISA
	Gehäusegröße	PG-DSO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	23.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Höhe	1.75mm
	Länge	6.2mm
	Breite	5 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie ISA
	Gehäusegröße PG-DSO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Höhe 1.75mm
	Länge 6.2mm
	Breite 5 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISA150233C03LMDSXTMA

Ursprungsland:: CN

Die OptiMOS 3-Leistungstransistoren von Infineon sind in komplementären N- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich und wurden für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Diese MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Darüber hinaus bieten sie eine hervorragende thermische Beständigkeit, die eine bessere Wärmeableitung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich ideal für verschiedene Power-Management- und energieeffiziente Designs.

100 % Avalanche-getestet

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21

Infineon ISA Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.2 A 2.5 W, 8-Pin ISA150233C03LMDSXTMA PG-DSO-8

Verwandte Links