Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5242
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.554 | CHF.7.79 |
| 50 - 95 | CHF.1.302 | CHF.6.49 |
| 100 - 245 | CHF.1.197 | CHF.6.00 |
| 250 - 995 | CHF.1.113 | CHF.5.56 |
| 1000 + | CHF.1.092 | CHF.5.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5242
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -14.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -102nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40mm | |
| Breite | 40 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -14.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -102nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf -0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40mm | ||
Breite 40 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
Logikpegel
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Verstärkungsmodus
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