Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5242
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.554 | CHF.7.79 |
| 50 - 95 | CHF.1.302 | CHF.6.49 |
| 100 - 245 | CHF.1.197 | CHF.6.00 |
| 250 - 995 | CHF.1.113 | CHF.5.56 |
| 1000 + | CHF.1.092 | CHF.5.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5242
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO080P03SHXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -14.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -102nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Breite | 40 mm | |
| Länge | 40mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -14.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -102nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf -0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Breite 40 mm | ||
Länge 40mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. auf Zustandwiderstand und Verdienstmerkmale. Er hat eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
Logikpegel
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Verstärkungsmodus
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