Infineon SPA20N60C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20.7 A 34.5 W, 4-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 170-2267
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA20N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 170-2267
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA20N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SPA20N60C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Breite | 4.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SPA20N60C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.65mm | ||
Breite 4.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon MOSFET
Der Infineon TO-220FP-3 N-Kanal-MOSFET für Durchgangsbohrung ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 190 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Drain-Strom von 20,7 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 600 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 34,5 W. Der MOSFET hat eine Antriebsspannung von 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Einfach zu bedienen
• Feldbewährte CoolMOM-Qualität
• Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
• Hohe Peak Current Capability
• Hohe Zuverlässigkeit
• Verbesserte Transkonduktivität
• bleifrei (Pb)
• Niedrige Gate-Ladung (Qg)
• Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Herausragende Kosten/Leistung
• Regelmäßige Lawineneinstufung
• Sehr niedrige Gate-Ladung
• Sehr energiesparende Speicherung in Ausgangskapazität (Eoss) 400 V
Anwendungen
• Adapter
• PC-Stromversorgung
• Servernetzteile
• Telekommunikation
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC
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