Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20.7 A 208 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 911-4830
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW20N60C3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
60 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF 85.74
Auf Lager
- Zusätzlich 180 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 2.858 | CHF 85.81 | - |
| 60 - 120 | CHF 2.717 | CHF 81.51 | 4% |
| 150 + | CHF 2.606 | CHF 78.08 | 8% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 911-4830
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW20N60C3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.95mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.95mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 208 W maximale Verlustleistung - SPW20N60C3FKSA1
Dieser MOSFET ist für zahlreiche elektronische Anwendungen unverzichtbar und wurde entwickelt, um die Effizienz bei verschiedenen Aufgaben zu verbessern. Er eignet sich gut für Umgebungen mit hoher Leistung und wird in der Automatisierungstechnik, der Elektrotechnik und im Maschinenbau eingesetzt. Mit seinen langlebigen Spezifikationen sorgt er für eine stabile Leistung bei gleichzeitiger Bewältigung hoher Stromlasten und Optimierung des Energieverbrauchs.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Konfiguration verbessert die Leitfähigkeit
• Maximaler Dauerstrom von 21 A unterstützt intensive Anwendungen
• Hohe Spannungsfestigkeit von 650 V bietet Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen
• Niedrige Gate-Ladung ermöglicht effizientes Schalten und reduziert Energieverluste
• Hervorragende thermische Eigenschaften ermöglichen den Betrieb bei hohen Temperaturen
• Konzipiert für die Durchgangslochmontage, was die Montage vereinfacht
Anwendungsbereich
• Regelung und Verwaltung der Stromversorgung in industriellen Systemen
• Motorsteuerungssysteme für eine effiziente Leistungsabgabe
• Einsatz in DC-DC-Wandlern für hohe Spannungen
• Integration in Systeme für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung
• Einsatz in der Leistungselektronik zur Verbesserung der Geräteleistung
Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Bauteil?
Er arbeitet effizient bei einer Höchsttemperatur von +150 °C und eignet sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.
Wie wirkt sich die niedrige Gate-Ladung auf den Betrieb des Bauelements aus?
Eine niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten, was die Schaltverluste erheblich reduziert und den Gesamtwirkungsgrad im Betrieb erhöht.
Kann dieser MOSFET wiederholte Hochtemperaturzyklen verkraften?
Ja, er ist so konstruiert, dass er seine elektrischen Eigenschaften über zahlreiche thermische Zyklen hinweg beibehält, was eine lange Lebensdauer in Umgebungen mit wechselnden Temperaturen gewährleistet.
Gibt es eine bestimmte Montageart, die für dieses Gerät empfohlen wird?
Dieses Gerät ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, was die Leiterplattenmontage erleichtert und stabile mechanische Verbindungen ermöglicht.
Welche Sicherheitsvorkehrungen sind bei der Installation zu treffen?
Stellen Sie sicher, dass die Gate-Source-Spannung die angegebenen Grenzwerte (-20V bis +20V) nicht überschreitet, um Schäden am Gerät zu vermeiden, und befolgen Sie die Standard-ESD-Vorsichtsmaßnahmen, um statische Schäden zu vermeiden.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20.7 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 313 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS^TM, Oberfläche MOSFET 650 V / 20.7 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS S5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247