Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20.7 A 208 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
911-4830
Herst. Teile-Nr.:
SPW20N60C3FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS C3

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.9mm

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.95mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 208 W maximale Verlustleistung - SPW20N60C3FKSA1


Dieser MOSFET ist für zahlreiche elektronische Anwendungen unverzichtbar und wurde entwickelt, um die Effizienz bei verschiedenen Aufgaben zu verbessern. Er eignet sich gut für Umgebungen mit hoher Leistung und wird in der Automatisierungstechnik, der Elektrotechnik und im Maschinenbau eingesetzt. Mit seinen langlebigen Spezifikationen sorgt er für eine stabile Leistung bei gleichzeitiger Bewältigung hoher Stromlasten und Optimierung des Energieverbrauchs.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Konfiguration verbessert die Leitfähigkeit

• Maximaler Dauerstrom von 21 A unterstützt intensive Anwendungen

• Hohe Spannungsfestigkeit von 650 V bietet Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen

• Niedrige Gate-Ladung ermöglicht effizientes Schalten und reduziert Energieverluste

• Hervorragende thermische Eigenschaften ermöglichen den Betrieb bei hohen Temperaturen

• Konzipiert für die Durchgangslochmontage, was die Montage vereinfacht

Anwendungsbereich


• Regelung und Verwaltung der Stromversorgung in industriellen Systemen

• Motorsteuerungssysteme für eine effiziente Leistungsabgabe

• Einsatz in DC-DC-Wandlern für hohe Spannungen

• Integration in Systeme für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung

• Einsatz in der Leistungselektronik zur Verbesserung der Geräteleistung

Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Bauteil?


Er arbeitet effizient bei einer Höchsttemperatur von +150 °C und eignet sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird.

Wie wirkt sich die niedrige Gate-Ladung auf den Betrieb des Bauelements aus?


Eine niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten, was die Schaltverluste erheblich reduziert und den Gesamtwirkungsgrad im Betrieb erhöht.

Kann dieser MOSFET wiederholte Hochtemperaturzyklen verkraften?


Ja, er ist so konstruiert, dass er seine elektrischen Eigenschaften über zahlreiche thermische Zyklen hinweg beibehält, was eine lange Lebensdauer in Umgebungen mit wechselnden Temperaturen gewährleistet.

Gibt es eine bestimmte Montageart, die für dieses Gerät empfohlen wird?


Dieses Gerät ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, was die Leiterplattenmontage erleichtert und stabile mechanische Verbindungen ermöglicht.

Welche Sicherheitsvorkehrungen sind bei der Installation zu treffen?


Stellen Sie sicher, dass die Gate-Source-Spannung die angegebenen Grenzwerte (-20V bis +20V) nicht überschreitet, um Schäden am Gerät zu vermeiden, und befolgen Sie die Standard-ESD-Vorsichtsmaßnahmen, um statische Schäden zu vermeiden.

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