Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.379.26

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 330 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
  • Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 28. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30CHF.12.642CHF.379.26
60 - 60CHF.12.012CHF.360.30
90 +CHF.11.256CHF.337.55

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
911-4849
Herst. Teile-Nr.:
SPW47N60C3FKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS C3

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

252nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

415W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.9mm

Breite

5.3 mm

Höhe

20.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 47 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 415 W maximale Verlustleistung - SPW47N60C3FKSA1


Dieser Hochspannungs-MOSFET ist für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bietet er eine gleichbleibende Leistung in verschiedenen Umgebungen. Er kann einen Dauerstrom von 47 A verarbeiten und dient zahlreichen Industrie- und Automatisierungszwecken und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effektivität bei Schaltaufgaben.

Eigenschaften und Vorteile


• Hohe Leistung mit einer maximalen Nennspannung von 650 V

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 70 mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Robuste Verlustleistung von 415 W unterstützt intensive Anwendungen

• Für den Erweiterungsmodus konfigurierte Kanäle ermöglichen eine verbesserte Kontrolle

• Entwickelt für die Durchsteckmontage zur einfachen Integration

Anwendungsbereich


• Geeignet für die Energieumwandlung in erneuerbare Energie

• Einsatz in Motorantriebsschaltungen zur Steigerung der Effizienz

• Einsatz in Energieverwaltungssystemen zur Erhöhung der Stabilität

Was ist der optimale Temperaturbereich für den Betrieb dieses Geräts?


Das Gerät arbeitet effizient zwischen -55°C und +150°C, was seine Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen erhöht.

Wie kann es in bestehende elektrische Systeme integriert werden?


Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage konzipiert, wodurch er für eine einfache Integration mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel ist.

Was sind die Sicherheitsaspekte bei der Verwendung dieses Bauteils?


Es muss unbedingt sichergestellt werden, dass die Gate-Source-Spannung zwischen -20V und +20V liegt, um Schäden während des Betriebs zu vermeiden und die Systemstabilität zu erhalten.

Für welche Art von Anwendungen ist eine so hohe Leistung erforderlich?


Anwendungen, die eine hohe Belastbarkeit erfordern, wie z. B. Motorsteuerungen, Systeme für erneuerbare Energien und Industrieautomation, profitieren von seinen robusten Leistungswerten.


Verwandte Links