Infineon CoolMOS S5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 911-4818
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW20N60S5FKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 911-4818
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW20N60S5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS S5 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.95mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS S5 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.95mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- GB
Infineon CoolMOS MOSFET der Serie S5, 20 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 208 W maximale Verlustleistung - SPW20N60S5FKSA1
Dieser MOSFET ist auf Hochspannungsanwendungen zugeschnitten und bietet eine bemerkenswerte Effizienz und Leistung. Sie spielt eine wichtige Rolle in Branchen, die von einer effektiven Energieverwaltung und Halbleiterfunktionalität abhängen. Dank der fortschrittlichen Si-Technologie arbeitet es effizient über ein breites Temperaturspektrum und eignet sich daher für eine Vielzahl von Anwendungen in der Automatisierung und in elektrischen Systemen.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Konfiguration verbessert die Schaltfähigkeiten
• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 20 A für hohe Lasten
• Hohe Spannungsfestigkeit von 600 V für anspruchsvolle Anwendungsfälle
• Ultra-niedrige Gate-Ladung erhöht die Schalteffizienz
• Der Enhancement-Modus ermöglicht eine präzise Betriebskontrolle
Anwendungsbereich
• Energieumwandlung in industriellen Automatisierungssystemen
• Ideal für Motorantriebe und Steuerungssysteme
• Stromversorgungen für erneuerbare Energie
• USV- und Notstromsysteme
Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Bauteils?
Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,6K/W, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs ermöglicht.
Ist er für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignet?
Ja, er funktioniert in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist damit vielseitig einsetzbar.
Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die angelegt werden kann?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V und bietet somit Flexibilität bei den Betriebsbedingungen.
Kann sie wiederkehrende Lawinenströme bewältigen?
Ja, er kann wiederkehrende Avalanche-Ströme von bis zu 20 A bewältigen und ist somit robust gegenüber transienten Bedingungen.
Wie verhält es sich bei gepulstem Abfluss?
Er verträgt einen auf 40 A begrenzten gepulsten Drain-Strom und gewährleistet so die Zuverlässigkeit bei kurzen Hochstromstößen.
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