Infineon CoolMOS S5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 911-4818
Herst. Teile-Nr.:: SPW20N60S5FKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS S5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	CHF.5.933	CHF.178.04
60 - 120	CHF.5.639	CHF.169.16
150 +	CHF.5.397	CHF.162.01

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 911-4818
Herst. Teile-Nr.:: SPW20N60S5FKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	CoolMOS S5
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	190mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	208W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	79nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	15.9mm
	Breite	5.3 mm
	Höhe	20.95mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie CoolMOS S5
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 208W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 15.9mm
	Breite 5.3 mm
	Höhe 20.95mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: GB

Infineon CoolMOS MOSFET der Serie S5, 20 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 208 W maximale Verlustleistung - SPW20N60S5FKSA1

Dieser MOSFET ist auf Hochspannungsanwendungen zugeschnitten und bietet eine bemerkenswerte Effizienz und Leistung. Sie spielt eine wichtige Rolle in Branchen, die von einer effektiven Energieverwaltung und Halbleiterfunktionalität abhängen. Dank der fortschrittlichen Si-Technologie arbeitet es effizient über ein breites Temperaturspektrum und eignet sich daher für eine Vielzahl von Anwendungen in der Automatisierung und in elektrischen Systemen.

Eigenschaften und Vorteile

• N-Kanal-Konfiguration verbessert die Schaltfähigkeiten

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 20 A für hohe Lasten

• Hohe Spannungsfestigkeit von 600 V für anspruchsvolle Anwendungsfälle

• Ultra-niedrige Gate-Ladung erhöht die Schalteffizienz

• Der Enhancement-Modus ermöglicht eine präzise Betriebskontrolle

Anwendungsbereich

• Energieumwandlung in industriellen Automatisierungssystemen

• Ideal für Motorantriebe und Steuerungssysteme

• Stromversorgungen für erneuerbare Energie

• USV- und Notstromsysteme

Wie hoch ist der Wärmewiderstand dieses Bauteils?

Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,6K/W, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs ermöglicht.

Ist er für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignet?

Ja, er funktioniert in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist damit vielseitig einsetzbar.

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die angelegt werden kann?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V und bietet somit Flexibilität bei den Betriebsbedingungen.

Kann sie wiederkehrende Lawinenströme bewältigen?

Ja, er kann wiederkehrende Avalanche-Ströme von bis zu 20 A bewältigen und ist somit robust gegenüber transienten Bedingungen.

Wie verhält es sich bei gepulstem Abfluss?

Er verträgt einen auf 40 A begrenzten gepulsten Drain-Strom und gewährleistet so die Zuverlässigkeit bei kurzen Hochstromstößen.