Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13.8 A 104 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3089
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R280P6FKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.877 | CHF.14.36 |
| 25 - 45 | CHF.2.583 | CHF.12.94 |
| 50 - 120 | CHF.2.415 | CHF.12.08 |
| 125 - 245 | CHF.2.247 | CHF.11.21 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3089
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R280P6FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21 mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P6. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen für z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und USV verwendet.
Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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