Infineon BSC050N04LS G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 85 A 57 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 170-2275
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N04LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2275
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N04LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC050N04LS G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.87V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC050N04LS G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.87V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung und schnellschaltender DC/DC-Wandler verwendet werden.
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Senkung der Systemkosten
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