Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET Erweiterung 120 V / 85 A 125 W, 8-Pin ISC078N12NM6ATMA1 PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-145
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC078N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.51 | CHF.12.54 |
| 50 - 95 | CHF.2.384 | CHF.11.92 |
| 100 - 495 | CHF.2.205 | CHF.11.04 |
| 500 - 995 | CHF.2.027 | CHF.10.14 |
| 1000 + | CHF.1.953 | CHF.9.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-145
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC078N12NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | N-Kanal MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 85A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ N-Kanal MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden. Der Transistor bietet ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das die Schaltleistung verbessert. Durch die sehr niedrige Umkehrerholungsladung (Qrr) werden Schaltverluste minimiert, was ihn ideal für schnell schaltende Anwendungen macht. Außerdem verfügt er über einen hohen Avalanche-Energiewert, der Robustheit unter transienten Bedingungen gewährleistet. Darüber hinaus arbeitet der MOSFET bei einer Temperatur von 175°C und bietet eine hohe thermische Belastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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