Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

RS Best.-Nr.:: 349-149
Herst. Teile-Nr.:: ISC151N20NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:: 349-149
Herst. Teile-Nr.:: ISC151N20NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	74A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	PG-TDSON-8 FL
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße PG-TDSON-8 FL
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC151N20NM6ATMA1

Ursprungsland:: MY

Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der zur Minimierung der Leitungsverluste und zur Verbesserung der Systemeffizienz beiträgt. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) gewährleistet dieser Transistor ein optimiertes Schaltverhalten. Außerdem bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr), wodurch Schaltverluste reduziert und die Gesamteffizienz in schnell schaltenden Schaltungen verbessert werden. Er ist für den Betrieb bei einer Temperatur von 175°C ausgelegt und bietet hohe Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen und eine hervorragende thermische Leistung für einen robusten Betrieb.

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

100 % Avalanche-getestet

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

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