Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 349-149
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
20 weitere Einheiten hinzufügen, um 10% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF 12.10
- 4'970 Einheit(en) mit Versand ab 20. Mai 2027
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 6.05 | CHF 12.10 | - |
| 20 - 198 | CHF 5.444 | CHF 10.89 | 10% |
| 200 - 998 | CHF 5.02 | CHF 10.04 | 17% |
| 1000 - 1998 | CHF 4.666 | CHF 9.32 | 22% |
| 2000 + | CHF 4.181 | CHF 8.35 | 30% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-149
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungstransistor der ISC-Serie von Infineon, 200 W maximale Verlustleistung, 200 V maximale Drain-Source-Spannung – ISC151N20NM6ATMA1
Merkmale und Vorteile:
• 74 A Dauerstrom für die Handhabung hoher Lasten
• 15,1 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 200 W Verlustleistung unterstützt erhöhte thermische Belastungen
• 31 nC Gate-Ladung für schnelle Schaltsteuerung
• Der Bereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für den Betrieb bei extremen Temperaturen
Anwendungsbereiche
• Ideal für das Schalten von Motorantrieben und Wechselrichtern
• Wird mit Hochstrom-Stromverteilermodulen verwendet
• Kann für Server-Stromversorgungs-Transistoren verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltreglerkonstruktionen
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Welcher Spannungsbelastung kann das Gerät in Schaltumgebungen standhalten?
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf die Auswahl der Steuerung aus?
Welche thermischen Überlegungen werden für den Einsatz mit hoher Leistung empfohlen?
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 170 A 211 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 541 A 234 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 142 A 211 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche OptiMOST Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 63 A 30 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 193 A 115 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 170 A 115 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 63 A 42 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 77 A 50 W, 8-Pin TDSON-8 FL
