Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 74 A 200 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 349-149
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 18 | CHF 6.05 | CHF 12.10 |
| 20 - 198 | CHF 5.444 | CHF 10.89 |
| 200 - 998 | CHF 5.02 | CHF 10.04 |
| 1000 - 1998 | CHF 4.666 | CHF 9.32 |
| 2000 + | CHF 4.181 | CHF 8.35 |
*Richtpreis
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- 349-149
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungstransistor der ISC-Serie von Infineon, 200 W maximale Verlustleistung, 200 V maximale Drain-Source-Spannung – ISC151N20NM6ATMA1
Dieser Leistungstransistor ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Schalt- und thermische Leistung erforderlich ist. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen vorgesehen. Er bietet eine niedrige Durchlassspannung und ein kompaktes PG-TDSON-8 FL-Gehäuse für platzbeschränkte Baugruppen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 74 A Dauerstrom für die Handhabung hoher Lasten
• 15,1 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 200 W Verlustleistung unterstützt erhöhte thermische Belastungen
• 31 nC Gate-Ladung für schnelle Schaltsteuerung
• Der Bereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für den Betrieb bei extremen Temperaturen
• 74 A Dauerstrom für die Handhabung hoher Lasten
• 15,1 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• 200 W Verlustleistung unterstützt erhöhte thermische Belastungen
• 31 nC Gate-Ladung für schnelle Schaltsteuerung
• Der Bereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für den Betrieb bei extremen Temperaturen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Leistungsstufen
• Ideal für das Schalten von Motorantrieben und Wechselrichtern
• Wird mit Hochstrom-Stromverteilermodulen verwendet
• Kann für Server-Stromversorgungs-Transistoren verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltreglerkonstruktionen
• Ideal für das Schalten von Motorantrieben und Wechselrichtern
• Wird mit Hochstrom-Stromverteilermodulen verwendet
• Kann für Server-Stromversorgungs-Transistoren verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltreglerkonstruktionen
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Er wird in einem oberflächenmontierten PG-TDSON-8 FL-Gehäuse geliefert, das für das Reflow-Löten an Leiterplattenmontagen vorgesehen ist.
Welcher Spannungsbelastung kann das Gerät in Schaltumgebungen standhalten?
Das Gerät ist für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 200 V während des Betriebs ausgelegt.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf die Auswahl der Steuerung aus?
Die maximale Gate-Source-Toleranz beträgt 20 V und die typische Gate-Ladung bei Vgs beträgt 31 nC, was die Anforderungen an Treiberstrom und Timing bestimmt.
Welche thermischen Überlegungen werden für den Einsatz mit hoher Leistung empfohlen?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 200 W sind eine angemessene Wärmeminderung und Wärmeableitungsmaßnahmen auf der Leiterplatte erforderlich, um die Sperrschichttemperatur zu steuern.
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