Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 121 A 75 W, 8-Pin ISC028N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL

RS Best.-Nr.:: 234-7000
Herst. Teile-Nr.:: ISC028N04NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 121 A 75 W, 8-Pin ISC028N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.7.77

Auf Lager

9’935 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.1.554	CHF.7.79
50 - 120	CHF.1.397	CHF.7.00
125 - 245	CHF.1.313	CHF.6.54
250 - 495	CHF.1.218	CHF.6.07
500 +	CHF.1.124	CHF.5.60

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 234-7000
Herst. Teile-Nr.:: ISC028N04NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	121A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON-8 FL
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.8mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	38nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	75W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	1.1 mm
	Höhe	4.4mm
	Länge	3.8mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 121A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON-8 FL
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 75W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 1.1 mm
	Höhe 4.4mm
	Länge 3.8mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Der N-Kanal-MOSFET-Leistungs-Transistor OptiMOS 5 von Infineon hat eine 40-V-Ablassquellen-Unterbrechungsspannung und einen durchgehenden Ablassstrom von 121 A. Dieses Produkt bietet eine Benchmark-Lösung für Anwendungen, die eine normale Antriebskapazität (höhere Schwellenspannung) erfordern. Die hohe Vth im Normalpegel-Portfolio bietet Immunität gegen falsches Einschalten aufgrund von lauten Umgebungen. Darüber hinaus verringern niedrigere QGD/QGS-Verhältnisse die Spitzen der Gate-Spannungsspitzen, was weiter zur Robustheit gegen unerwünschtes Einschalten beiträgt.

Batteriebetriebene Anwendung

LVV-Motorantriebe

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

175 °C Anschlusstemperatur

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

Niedrige Gate-Ladung

Reduzierte Schaltverluste

Geeignet für den Betrieb bei höheren Frequenzen

N-Kanal

Pb-freie Bleiplattierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 121 A 75 W, 8-Pin ISC028N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL

Verwandte Links