Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 235-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.05mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.05mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon ISC-Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 75 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISC080N10NM6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Ablassstromkapazität und thermische Toleranz in platinenmontierten Leistungsstufen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 100-V-Ableitstrom ermöglicht einen robusten Spannungsbereich für Leistungsstufen
• 75 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Schaltanforderungen
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Handhabung unter Last
• 8,05 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen
• Die typische Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V bietet Gate-Schutzmarge
• 75 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Schaltanforderungen
• Die Verlustleistung von 100 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Handhabung unter Last
• 8,05 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen
• Die typische Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V bietet Gate-Schutzmarge
Anwendungsbereich
• Geeignet für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichteraufgaben
• Einsatz mit Motorantriebs-Halbbrücken in kompakten Wechselrichtern
• Kann für Stromverteilungsschalter auf Platinen verwendet werden
• Geeignet für primäre oder sekundäre Schaltnetzteile
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichteraufgaben
• Einsatz mit Motorantriebs-Halbbrücken in kompakten Wechselrichtern
• Kann für Stromverteilungsschalter auf Platinen verwendet werden
• Geeignet für primäre oder sekundäre Schaltnetzteile
Welchen Betriebstemperaturbereich kann er tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Art der Montage sollte ich planen?
Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen.
Was sind die physischen Einschränkungen?
Das Gehäuse misst 6,1 mm in der Länge, 1,2 mm in der Breite und 5,35 mm in der Höhe für die Layoutplanung.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf das Schaltdesign aus?
Die typische Gesamt-Gate-Ladung von 24 nC definiert die vom Treiber benötigte Ladungsabgabe, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen.
Welchen Kanaltyp und welche Polarität verwendet er?
Es verwendet eine N-Kanal-Konfiguration, die für Low-Side- oder High-Side-Anordnungen geeignet ist, bei denen N-Kanal-Geräte erforderlich sind.
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