Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.2’575.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.515 | CHF.2’583.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4870
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.05mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.05mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2 mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin ISC080N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 179 A 75 W, 8-Pin ISC030N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin ISC230N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 121 A 75 W, 8-Pin ISC028N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin ISC027N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin ISC060N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 164 A 217 W, 8-Pin ISC035N10NM5LF2ATMA1 PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 288 A 1.89 kW, 8-Pin TDSON