Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 288 A 83 W, 8-Pin ISZ034N06LM5ATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.17.12

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3’400 Einheit(en) mit Versand ab 01. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.1.712CHF.17.14
50 - 90CHF.1.628CHF.16.28
100 - 240CHF.1.554CHF.15.58
250 - 490CHF.1.491CHF.14.90
500 +CHF.1.386CHF.13.87

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-4397
Herst. Teile-Nr.:
ISZ034N06LM5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

288A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

ISC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

3.4mm

Breite

1.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der 60-V-Leistungs-MOSFET ISZ034N06LM5 von Infineon bietet eine perfekte Passform für optimierte Effizienz und Leistungsdichte wie synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS), für Telekommunikations-Bricks und Serveranwendungen sowie tragbare Ladegeräte. Die geringe Abmessung von nur 3,3 x 3,3 mm in Kombination mit einer hervorragenden elektrischen Leistung trägt zusätzlich zur erstklassigen Leistungsdichte und Formfaktorverbesserung in der Endanwendung bei.

Sehr niedrige Spannungsübersteuerung

Extrem niedrige Ladezyklen

Verwandte Links