Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin ISC320N12LM6ATMA1 PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-151
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC320N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-151
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC320N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden. Der Transistor bietet ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das die Schaltleistung verbessert. Durch die sehr niedrige Umkehrerholungsladung (Qrr) werden Schaltverluste minimiert, was ihn ideal für schnell schaltende Anwendungen macht. Außerdem verfügt er über einen hohen Avalanche-Energiewert, der Robustheit unter transienten Bedingungen gewährleistet. Darüber hinaus arbeitet der MOSFET bei einer Temperatur von 175°C und bietet eine hohe thermische Belastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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