Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TDSON-8

RS Best.-Nr.:: 349-151
Herst. Teile-Nr.:: ISC320N12LM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TDSON-8

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RS Best.-Nr.:: 349-151
Herst. Teile-Nr.:: ISC320N12LM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	120V
	Gehäusegröße	PG-TDSON-8
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	32mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.1nC
	Maximale Verlustleistung Pd	43W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 120V
	Gehäusegröße PG-TDSON-8
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC
	Maximale Verlustleistung Pd 43W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC320N12LM6ATMA1

Ursprungsland:: CN

Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert werden. Der Transistor bietet ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das die Schaltleistung verbessert. Durch die sehr niedrige Umkehrerholungsladung (Qrr) werden Schaltverluste minimiert, was ihn ideal für schnell schaltende Anwendungen macht. Außerdem verfügt er über einen hohen Avalanche-Energiewert, der Robustheit unter transienten Bedingungen gewährleistet. Darüber hinaus arbeitet der MOSFET bei einer Temperatur von 175°C und bietet eine hohe thermische Belastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen.

Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 24 A 43 W, 8-Pin PG-TDSON-8

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