Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 170 A 211 W, 8-Pin ISC032N12LM6ATMA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-139
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.9.156
Auf Lager
- Zusätzlich 5’000 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.578 | CHF.9.16 |
| 20 - 198 | CHF.4.127 | CHF.8.25 |
| 200 - 998 | CHF.3.801 | CHF.7.60 |
| 1000 - 1998 | CHF.3.528 | CHF.7.07 |
| 2000 + | CHF.3.161 | CHF.6.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-139
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 211W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 211W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste reduziert und die Leistung verbessert. Der Transistor verfügt über ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das optimale Schalteigenschaften gewährleistet. Darüber hinaus bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und minimiert so die Schaltverluste.
Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 24 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 84 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 62 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 541 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 172 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 142 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 164 A, 8-Pin PG-TDSON-8
- Infineon ISC N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 88 A, 8-Pin PG-TDSON-8