Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 120 V / 170 A 211 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:
349-139
Herst. Teile-Nr.:
ISC032N12LM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8 FL

Serie

ISC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

211W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste reduziert und die Leistung verbessert. Der Transistor verfügt über ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das optimale Schalteigenschaften gewährleistet. Darüber hinaus bietet er eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und minimiert so die Schaltverluste.

Optimiert für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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