Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 142 A 211 W, 8-Pin PG-TDSON-8

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RS Best.-Nr.:
349-143
Herst. Teile-Nr.:
ISC046N13NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

142A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Serie

ISC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

211W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der Leitungsverluste minimiert und den Gesamtwirkungsgrad erhöht. Der Transistor bietet außerdem ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM), das eine optimale Schaltleistung gewährleistet. Durch die sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) werden Schaltverluste reduziert, so dass er sich für schnell schaltende Anwendungen eignet. Darüber hinaus ist das Gerät zu 100 % Avalanche-getestet, was Zuverlässigkeit und Robustheit unter Stressbedingungen gewährleistet.

175 °C Betriebstemperatur

Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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