Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin ISC060N10NM6ATMA1 TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4869
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC060N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.83
Auf Lager
- Zusätzlich 4’660 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.415 | CHF.4.82 |
| 20 - 48 | CHF.2.121 | CHF.4.24 |
| 50 - 98 | CHF.1.974 | CHF.3.96 |
| 100 - 198 | CHF.1.848 | CHF.3.71 |
| 200 + | CHF.1.722 | CHF.3.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4869
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC060N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin ISC060N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 238 A 125 W, 8-Pin TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 238 A 125 W, 8-Pin ISC012N04LM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET Erweiterung 120 V / 85 A 125 W, 8-Pin ISC078N12NM6ATMA1 PG-TDSON-8
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin ISC230N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin ISC080N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 192 A 245 W, 8-Pin ISC027N10NM6ATMA1 TDSON
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 179 A 75 W, 8-Pin ISC030N10NM6ATMA1 TDSON