Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 235-4868
Herst. Teile-Nr.:: ISC060N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 235-4868
Herst. Teile-Nr.:: ISC060N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	97A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	ISC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	33nC
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.1mm
	Breite	1.2 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie ISC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.1mm
	Breite 1.2 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 5.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC060N10NM6ATMA1

Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Geringere und weichere Rückgewinnungsladung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-konform

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Umweltfreundlich

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin TDSON

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