Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 170 A 115 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 234-6997
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.6.565
Auf Lager
- Zusätzlich 4’990 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.313 | CHF.6.55 |
| 50 - 120 | CHF.1.092 | CHF.5.44 |
| 125 - 245 | CHF.1.019 | CHF.5.10 |
| 250 - 495 | CHF.0.956 | CHF.4.79 |
| 500 + | CHF.0.882 | CHF.4.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-6997
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON-8 FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.8mm | |
| Länge | 4.4mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON-8 FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.8mm | ||
Länge 4.4mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET-Leistungs-Transistor OptiMOS 5 von Infineon hat eine 40-V-Ablassquellen-Unterbrechungsspannung und einen durchgehenden Ablassstrom von 170 A. Dieses Produkt bietet eine Benchmark-Lösung für Anwendungen, die eine normale Antriebskapazität (höhere Schwellenspannung) erfordern. Die hohe Vth im Normalpegel-Portfolio bietet Immunität gegen falsches Einschalten aufgrund von lauten Umgebungen. Darüber hinaus verringern niedrigere QGD/QGS-Verhältnisse die Spitzen der Gate-Spannungsspitzen, was weiter zur Robustheit gegen unerwünschtes Einschalten beiträgt.
Batteriebetriebene Anwendung
LVV-Motorantriebe
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)
100 % Avalanche-getestet
175 °C Anschlusstemperatur
Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit
Niedrige Gate-Ladung
Reduzierte Schaltverluste
Geeignet für den Betrieb bei höheren Frequenzen
N-Kanal
Pb-freie Bleiplattierung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 170 A 115 W, 8-Pin ISC019N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 193 A 115 W, 8-Pin ISC017N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 77 A 50 W, 8-Pin ISC046N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 98 A 63 W, 8-Pin ISC036N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 121 A 75 W, 8-Pin ISC028N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 63 A 42 W, 8-Pin ISC058N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 145 A 115 W, 8-Pin ISC015N04NM5ATMA1 TDSON-8 FL
- Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin ISC230N10NM6ATMA1 TDSON