Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 77 A 50 W, 8-Pin TDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:
234-7003
Herst. Teile-Nr.:
ISC046N04NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

ISC

Gehäusegröße

TDSON-8 FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.8mm

Breite

1.1 mm

Höhe

4.4mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET mit Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon hat eine 40-V-Ablassquellen-Unterbrechungsspannung und einen durchgehenden Ablassstrom von 77 A. Dieses Produkt bietet eine Benchmark-Lösung für Anwendungen, die eine normale Antriebskapazität (höhere Schwellenspannung) erfordern. Die hohe Vth im Normalpegel-Portfolio bietet Immunität gegen falsches Einschalten aufgrund von lauten Umgebungen. Darüber hinaus verringern niedrigere QGD/QGS-Verhältnisse die Spitzen der Gate-Spannungsspitzen, was weiter zur Robustheit gegen unerwünschtes Einschalten beiträgt.

Batteriebetriebene Anwendung

LVV-Motorantriebe

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

175 °C Anschlusstemperatur

Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit

Niedrige Gate-Ladung

Reduzierte Schaltverluste

Geeignet für den Betrieb bei höheren Frequenzen

N-Kanal

Pb-freie Bleiplattierung

RoHS-Konformität

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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