Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
170-2283
Herst. Teile-Nr.:
IPD053N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

IPD053N08N3 G

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Breite

7.36 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon MOSFET


Der Infineon TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 5,3 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen Dauerablassstrom von 90 A. Er hat eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 80 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET ist für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet und bietet volle Flexibilität bei begrenzten Platzverhältnissen. Er wurde entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Zweiseitige Kühlung

• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(ON)-Produkt (FOM)

• bleifreie (Pb) Beschichtung

• Niedrige parasitäre Induktivität

• Niedrige Bauhöhe (<0, 7 mm)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler

• Überlegener Wärmewiderstand

Anwendungen


• AC/DC

• Adapter

• DC/DC

• LED

• Motorsteuerung

• PC-Stromversorgung

• Servernetzteile

• SMPS

• Solar

• Telekommunikation

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC

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