Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 170-2283
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD053N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.2’205.00
Auf Lager
- 7’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.882 | CHF.2’199.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2283
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD053N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD053N08N3 G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 7.36 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD053N08N3 G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 7.36 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon MOSFET
Der Infineon TO-252-3 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 5,3 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen Dauerablassstrom von 90 A. Er hat eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 80 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET ist für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet und bietet volle Flexibilität bei begrenzten Platzverhältnissen. Er wurde entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Zweiseitige Kühlung
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(ON)-Produkt (FOM)
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Niedrige parasitäre Induktivität
• Niedrige Bauhöhe (<0, 7 mm)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
• Überlegener Wärmewiderstand
Anwendungen
• AC/DC
• Adapter
• DC/DC
• LED
• Motorsteuerung
• PC-Stromversorgung
• Servernetzteile
• SMPS
• Solar
• Telekommunikation
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
Verwandte Links
- Infineon IPD053N08N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 150 W, 5-Pin IPD053N08N3GATMA1 TO-252
- Infineon IPD068N10N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 150 W, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD068N10N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 150 W, 5-Pin IPD068N10N3GATMA1 TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin IPD90N06S404ATMA2 TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin IPD90N08S405ATMA1 TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252