Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 50 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
170-8302
Herst. Teile-Nr.:
SQD50N05-11L_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

50 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

SQ Rugged

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

24 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1.5V

Verlustleistung max.

75 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34,6 nC @ 10 V

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.38mm

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

Zulassungen

AEC-Q101


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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