Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 62 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 787-9480
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD25N06-22L_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.20
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 25 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
- Die letzten 1'865 Einheit(en) mit Versand ab 20. April 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.2.04 | CHF.10.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 787-9480
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD25N06-22L_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | TrenchFET Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.022Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ TrenchFET Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.022Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Verwandte Links
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 62 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 75 W, 3-Pin TO-252
- Vishay Einfach SQ Rugged Typ N, Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage, SMD MOSFET 50 V Erweiterung / 50 A, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 30 A 62 W, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8 A 3.6 W, 6-Pin TSOP
