Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 170-8306
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS462EN-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 170-8306
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS462EN-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 135mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 135mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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