Infineon IPD200N15N3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 5-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-1945
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD200N15N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 10 - 10 | CHF.1.293 | CHF.12.97 |
| 20 - 40 | CHF.1.04 | CHF.10.37 |
| 50 - 90 | CHF.0.97 | CHF.9.74 |
| 100 - 240 | CHF.0.929 | CHF.9.26 |
| 250 + | CHF.0.899 | CHF.9.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-1945
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD200N15N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPD200N15N3 G | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPD200N15N3 G | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.45 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPD200N15N3 G ist 150 V OptiMOS erreicht eine Reduzierung des R DS(on) von 40 % und von 45 % in der Leistungszahl (FOM) im Vergleich zum nächstbesten Mitbewerber. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von bleihaltigen auf SMD-Gehäuse oder den effektiven Austausch von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS-Teil.
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Weltweit niedrigster R DS(on)
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