Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 92 A 86 W, 8-Pin TSON
- RS Best.-Nr.:
- 171-2363
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN3R704PL
- Marke:
- Toshiba
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- 171-2363
- Herst. Teile-Nr.:
- TPN3R704PL
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 92A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 86W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Breite | 3.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 92A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 86W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.85mm | ||
Breite 3.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Hocheffiziente DC/DC-WandlerSchaltspannungsreglerMotortreiberHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 8,1 nC (typ.)Geringe Ausgangsladung: Qoss = 20,2 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 3,0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)Anreicherungstyp: Vth = 1,4 bis 2,4 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)
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