Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TPN14006NH,L1Q(M TSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.5.04

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1’790 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +CHF.0.504CHF.5.06

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-2385
Herst. Teile-Nr.:
TPN14006NH,L1Q(M
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Breite

3.1 mm

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

SchaltspannungsreglerMotortreiberDC/DC-WandlerHochgeschwindigkeitsschaltenGeringe Gate-Ladung: QSW = 5,5 nC (typ.)Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 11 Ω (typ.)Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

Verwandte Links