- RS Best.-Nr.:
- 171-3703
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM230N06CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- TSM230N06CP ROG
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- Taiwan Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Taiwan Semiconductor 60 V, 50 A, 28 mΩ, 3-poliger N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS-konform
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
Max. 53 W Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1,2 V und 2,5 V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS-konform
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C.
Max. 53 W Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1,2 V und 2,5 V
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 28 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 53 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
Breite | 5.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 6.5mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |
Höhe | 2.3mm |
- RS Best.-Nr.:
- 171-3703
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM230N06CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor