onsemi Doppelt NVMFD5C650NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 111 A 125 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
172-3293
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD5C650NLWFT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

111A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Serie

NVMFD5C650NL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.05mm

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme

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