onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 29 A 23 W, 8-Pin DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-4470
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD5C478NLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

175°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Durchlassspannung Vf

0.84V

Maximale Verlustleistung Pd

23W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Länge

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Niedriger Einschaltwiderstand

Hohe Strombelastbarkeit

PPAP-fähig

NVMFD5C478NLWF - Produkt mit benetzbaren Flanken

Vorteile

Minimale Leitungsverluste.

Robustes Lastverhalten

Schutz gegen Ausfälle durch Spannungsüberlastung

Für Automobilanwendungen geeignet

Verbesserte optische Prüfung

Anwendungen

Spulentreiber

Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite

Endprodukte

Automobil-Motorsteuergeräte

Antiblockiersysteme

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