onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V Erweiterung / 25 A 3.2 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
195-2555
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD6H852NLWFT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

175°C

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Höhe

1.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

NVMFD6H852NLWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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