onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 70 A 50 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 178-4454
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C462NT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.8.51
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.0.851 | CHF.8.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4454
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C462NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 175°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 5.1mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. 175°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 5.1mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.
Merkmale
Niedriger Einschaltwiderstand
Hohe Strombelastbarkeit
Vorteile
Minimale Leitungsverluste.
Robustes Lastverhalten
Schutz gegen Ausfälle durch Spannungsüberlastung
Für Automobilanwendungen geeignet
Anwendungen
Spulentreiber
Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite
Endprodukte
Automobil-Motorsteuergeräte
Antiblockiersysteme
Verwandte Links
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 70 A 50 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 127 A 89 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V Erweiterung / 74 A 3.1 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 27 A 23 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 29 A 23 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V Erweiterung / 25 A 3.2 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 68 A 57.5 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 42 A 37 W, 8-Pin DFN