onsemi Doppelt NVMFD5C446NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 145 A 125 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3377
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C446NLT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.24.14
Nur noch Restbestände
- Letzte 580 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.2.414 | CHF.24.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 172-3377
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C446NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 145A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVMFD5C446NL | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 145A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVMFD5C446NL | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandMinimale Leitungsverluste.Hohe StrombelastbarkeitRobustes LastverhaltenSpannungsüberlastungsschutzAnwendungsbereichTreiber für NiederspannungsseiteTreiber für HochspannungsseiteMotorantriebAutomobil-AntriebsstrangAutomobil-HLK-MotorenABS-Druckpumpen
Verwandte Links
- onsemi Doppelt NVMFD5C446NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 145 A 125 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt NVMFD5C650NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 111 A 125 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 127 A 89 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 42 A 37 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 27 A 23 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 29 A 23 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt NVMFD5C672NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 49 A 45 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt NVMFD5C674NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 42 A 37 W, 8-Pin DFN