ROHM R6520KNX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 177-6260
- Herst. Teile-Nr.:
- R6520KNX
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- R6520KNX
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Serie | R6520KNX | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Serie R6520KNX | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.4mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Der R6520KNX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung
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