Vishay IRFBC20 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 2.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0839
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBC20PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.60.10
- 950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.202 | CHF 60.30 |
| 100 - 200 | CHF 1.03 | CHF 51.26 |
| 250 + | CHF 0.97 | CHF 48.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0839
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBC20PBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IRFBC20 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IRFBC20 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFBC20 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximale Verlustleistung 50 W – IRFBC20PBF
Merkmale und Vorteile:
• 2.2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 4,4 Ω reduziert Leitungsverluste bei begrenzten Strömen
• Maximale Verlustleistung von 50 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 18 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Ideal für Schaltleistungsregler in Industrieanlagen
• Wird mit diskreten Treiberstufen in Motorsteuerungsschnittstellen verwendet
• Kann für Dämpfer- und Klemmfunktionen in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping im Labor mit Durchsteckmontage
Welchen Umgebungstemperaturen kann er im Betrieb standhalten?
Wie sollte es montiert werden, um eine effektive Wärmeableitung zu gewährleisten?
Welche Gate-Drive-Grenzwerte müssen beachtet werden?
Ist es für Anwendungen in Automobilqualität geeignet?
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