Vishay IRFBC20 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 2.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 542-9490
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBC20PBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IRFBC20 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IRFBC20 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFBC20 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 2,2 A – IRFBC20PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Spannungstoleranz und robuste thermische Beständigkeit in herkömmlichen platinenmontierten Baugruppen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 2,2 A Dauerstromkapazität unterstützt moderate Lasttreiber • 4,4 Ω Rds(on) vereinfacht das Gate-Drive-Design für die Niederfrequenzsteuerung • Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme bei der Kühlung • 18 nC typische Gate-Ladung reduziert die Schaltenergie bei moderaten Geschwindigkeiten • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C toleriert erhöhte thermische Belastungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorsteuerungsstufen • Wird zum Schalten von Lasten in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann für die gate-gesteuerte Leistungsregelung in Prüfregalen verwendet werden • Geeignet zum Austausch in älteren Hochspannungsschaltungen mit Durchgangsbohrung
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für den Betrieb akzeptabel?
Das Gerät ermöglicht Gate-Exkursionen bis zu 20 V gegenüber der Quelle für den normalen Betrieb.
Wie unterstützt das Paket die Montage und Handhabung?
Das Durchstecklochformat des TO-220AB bietet eine dreipolige Montage und eine einfache Kühlkörperbefestigung für mechanische Stabilität und Wärmemanagement.
Welche Umgebungstemperaturgrenzen gelten während des Gebrauchs?
Er arbeitet über einen Temperaturbereich bis zu -55 °C und bis zu einer maximalen Anschlusstemperatur von 150 °C.
Was ist die typische Schaltladung, die für Antriebsschaltkreise zu berücksichtigen ist?
Erwarten Sie eine ungefähre Gesamt-Gate-Ladung von 18 nC unter typischen Antriebsbedingungen bei der Dimensionierung der Treiberkapazität.
Gibt es anerkannte Material- oder Fertigungsbeschränkungen für das Teil?
Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen als Teil der Fertigungszulassungen.
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