Vishay RF9Z10 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 6.7 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 815-2679
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z10PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.14.44
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.444 | CHF.14.48 |
| 100 - 240 | CHF.1.101 | CHF.10.99 |
| 250 - 490 | CHF.1.01 | CHF.10.12 |
| 500 - 990 | CHF.0.869 | CHF.8.71 |
| 1000 + | CHF.0.758 | CHF.7.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 815-2679
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z10PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | RF9Z10 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.49mm | |
| Länge | 10.51mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 4.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie RF9Z10 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.49mm | ||
Länge 10.51mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 4.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay RF9Z10 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 6.7 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 80 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 79 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 17 A 60 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 15 A 88 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 55 V / 51 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB