Vishay IRF510 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 919-0023
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510PBF
- Marke:
- Vishay
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- 919-0023
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510PBF
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF510 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF510 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRF510 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 100 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5,6 A – IRF510PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Durchsteck-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine hohe Spannungsabsperrfähigkeit in einem TO‐220AB-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit • 5,6 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung • 540 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste unter Last zu begrenzen • 43 W Verlustleistung zur Unterstützung des thermischen Kopfraums in Baugruppen • 20 V Gate-Source-Grenze ermöglicht flexible Antriebsspannungen • 8,3 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltprofile
Anwendungen
• Geeignet für Motortreiberstufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für das Schalten der Stromversorgung in Labornetzgeräten • Wird für Lastschaltvorgänge in Prüf- und Messgeräten verwendet • Kann für analoge Verstärker-Ausgänge in Steuerungssystemen verwendet werden
Welche Betriebstemperaturen verträgt es in rauen Umgebungen?
Es funktioniert von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz unter anspruchsvollen Temperaturbedingungen.
Wie ist das Gerät für mechanische und thermische Stabilität montiert?
Es verwendet eine Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse, die eine sichere Leiterplattenbefestigung und eine einfache Kühlung ermöglicht.
Welche Überlegungen zum Gate-Antrieb beeinflussen die Schaltleistung?
Die typische Gate-Ladung von 8,3 nC bei Nenn-Vgs beeinflusst die Treiberstromanforderungen und Schaltgeschwindigkeitskompromisse.
Was ist bei der Kopplung mit einem Kühlkörper zu beachten?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 43 W müssen der Wärmewiderstand des Kühlkörpers und der Luftstrom so dimensioniert werden, dass die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen bleibt.
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