Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-0023
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.33.10
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 4’950 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.662 | CHF.33.08 |
| 100 - 200 | CHF.0.567 | CHF.28.14 |
| 250 + | CHF.0.494 | CHF.24.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-0023
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 10 A 43 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 43 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4 A 43 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 6,7 A 43 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 4,7 A 43 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 3,7 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)