Vishay IRFBG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 919-4508
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBG30PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.82.80
- 750 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.656 | CHF.83.02 |
| 100 - 200 | CHF.1.414 | CHF.70.60 |
| 250 + | CHF.1.333 | CHF.66.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4508
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBG30PBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBG30 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBG30 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRFBG30 von Vishay, 1000 V Drain-Quellenspannung, 3,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFBG30PBF
Merkmale und Vorteile:
• 3,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 5 Ω maximaler Rds minimiert Leitungsverluste unter Last
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Größe
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit hoher Hitze
Anwendungen
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden in elektrischen Geräten
• Wird für industrielle Schaltvorgänge in Steuerbaugruppen verwendet
• Kann für Schutzschaltungen verwendet werden, die hohe Vds erfordern
• Wird mit diskreten Leistungsstufen in mechanischen Betätigungssystemen verwendet
Welche Gate-Antriebsspanne ist für einen sicheren Betrieb zulässig?
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement aus?
Welchem Umgebungstemperaturbereich kann er standhalten?
Welche Pin-Konfiguration sollten Entwickler erwarten?
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