Vishay IRFBG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
919-4508
Herst. Teile-Nr.:
IRFBG30PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

IRFBG30

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.41mm

Höhe

9.01mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET der Serie IRFBG30 von Vishay, 1000 V Drain-Quellenspannung, 3,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFBG30PBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungssteuerungsfunktionen in der Industrieelektronik vorgesehen ist. Es handelt sich um eine Durchsteckkomponente, die in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert wird und für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Leistungsaufnahme und eine hohe Drain-Source-Spannungsfähigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 1000 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 3,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 5 Ω maximaler Rds minimiert Leitungsverluste unter Last
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Größe
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit hoher Hitze

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler in Automatisierungssystemen
• Ideal für Motorantriebs-Frontenden in elektrischen Geräten
• Wird für industrielle Schaltvorgänge in Steuerbaugruppen verwendet
• Kann für Schutzschaltungen verwendet werden, die hohe Vds erfordern
• Wird mit diskreten Leistungsstufen in mechanischen Betätigungssystemen verwendet

Welche Gate-Antriebsspanne ist für einen sicheren Betrieb zulässig?


Das Gerät kann Gate-Source-Spannungen von bis zu 20 V tolerieren, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs arbeiten.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement aus?


Das TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung ermöglicht eine direkte Kühlung, um die Verlustleistung von 125 W unter geeigneten Montage- und Kühlbedingungen zu bewältigen.

Welchem Umgebungstemperaturbereich kann er standhalten?


Es arbeitet zuverlässig zwischen -55 °C und 150 °C und eignet sich für extreme industrielle Temperaturen.

Welche Pin-Konfiguration sollten Entwickler erwarten?


Die Komponente ist ein dreipoliges Durchsteckgerät, das mit Standard-Leiterplatten-Layouts für diskrete Leistungskomponenten kompatibel ist.

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