Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0818
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.66.15
Auf Lager
- Zusätzlich 1’500 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.323 | CHF.66.15 |
| 100 - 200 | CHF.1.155 | CHF.57.54 |
| 250 + | CHF.0.977 | CHF.48.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0818
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRFBE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRFBE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin IRFBE30PBF TO-220
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 1.8 A 54 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 1.8 A 54 W, 3-Pin IRFBE20PBF TO-220
- Vishay IRFB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin IRFB11N50APBF TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin STP7NK80Z TO-220
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 3.6 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB