Vishay IRFBE30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0818
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30PBF
- Marke:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBE30 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBE30 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFBE30 von Vishay, 800 V Drain-Quellenspannung, 4,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFBE30PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Durchgangslochtransistor, der für das Schalten und die Leistungssteuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät, das für Hochspannungsanwendungen geeignet ist und eine Kombination aus Spannungsverarbeitung und Gate-Drive-Fähigkeit für anspruchsvolle elektrische Systeme bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 3 Ω maximaler Rds reduziert den Stromverlust während der Leitung • 78 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • Die Verlustleistung von 125 W bewältigt thermische Belastungen in Stromkreisen • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C hält einem breiten Temperaturbereich stand
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Verwendet für Halbleiterrelais und Schutzschaltkreise • Kann für Lastschaltvorgänge in Automationsschalttafeln verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich bei der Entwicklung beachten?
Der Gate-Antrieb muss innerhalb von maximal ±20 V in Bezug auf die Quelle bleiben, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?
Verwenden Sie einen Kühlkörper auf dem TO‐220AB-Gehäuse oder eine thermisch leitfähige Montagelösung, um bis zu 125 W Leistung unter Nennbedingungen zu verteilen.
Welche Schalteigenschaften beeinflussen EMI in meinem Design?
Die typische Gate-Ladung von 78 nC am spezifizierten Gate-Antrieb beeinflusst Anstiegs- und Abfallzeiten und wirkt sich auf Schaltübergänge und elektromagnetische Emissionen aus.
Ist dieses Gerät für Oberflächenmontagetechniken geeignet?
Er wird in einem TO‐220AB-Durchgangsbohrungsgehäuse geliefert, das für die mechanische Montage und die herkömmliche Durchgangsbohrungsmontage vorgesehen ist.
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