Vishay IRFB11N50A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 178-0823
Herst. Teile-Nr.:: IRFB11N50APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFB11N50A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.77.75

Auf Lager

200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 +	CHF 1.555	CHF 77.57

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 178-0823
Herst. Teile-Nr.:: IRFB11N50APBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	11A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Serie	IRFB11N50A
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	520mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	52nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	9.01mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	10.41mm
	Breite	4.7mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Serie IRFB11N50A
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 520mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 9.01mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 10.41mm
	Breite 4.7mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Leistungs-MOSFET der Serie IRFB11N50A von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 11 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB11N50APBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Durchsteckmontage in der Industrie- und Leistungselektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, unterstützt erhebliche Schaltströme und -spannungen und wird in einem TO-220AB-Gehäuse für eine einfache Kühlkörper- und Chassisbefestigung geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 500 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht erhebliche Leistungsschaltvorgänge
• 520 mΩ Rds(on) sorgt für vorhersehbare Leitungsverluste
• 52 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Gate-Drive-Design
• Gate-Grenzwert von 30 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Wird mit diskreten MOSFET-Baugruppen in Wechselrichtern verwendet
• Kann für Schaltregler und Steuerungen verwendet werden
• Geeignet für Laborstromprüfgeräte und Prototypen

Welchen Temperaturbereich kann ich für Feld- und Lagerbedingungen erwarten?

Es funktioniert zwischen -55 °C und 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungsbedingungen.

Wie wird das Gerät in einem System montiert und gekühlt?

Das Durchsteckformat des TO-220AB ermöglicht das Verschrauben an einem externen Kühlkörper oder Chassis für eine verbesserte Wärmeübertragung.

Welche Überlegungen zum Gate-Drive sind wichtig, um Schäden zu vermeiden?

Halten Sie die Gate-Spannung innerhalb einer Grenze von 30 V und legen Sie den Treiber so aus, dass er ca. 52 nC lädt, um zuverlässig zu schalten.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit in Schaltkreisen aus?

Die Durchlassspannung von 1,5 V beeinflusst die Gesamtverluste des Systems während der Leitung und sollte in die thermischen und Effizienzberechnungen einbezogen werden.