Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 913-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.69.20
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.384 | CHF 69.08 |
| 100 - 200 | CHF 1.222 | CHF 61.00 |
| 250 - 450 | CHF 1.192 | CHF 59.39 |
| 500 - 950 | CHF 1.162 | CHF 57.87 |
| 1000 + | CHF 1.131 | CHF 56.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.004Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 131nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.004Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 202A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 333W maximale Verlustleistung - IRF1404PBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welche Art von Spannung kann verwaltet werden?
Wie wirkt sich der geringe Durchlasswiderstand auf die Effizienz des Systems aus?
Welchen Temperaturen kann es im Betrieb standhalten?
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Was ist die Bedeutung des TO-220AB-Gehäuses?
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