Infineon HEXFET IRF1404PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 913-3837
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF1404PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220AB

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	202 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	333 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	131 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	8.77mm

RS Best.-Nr.:: 913-3837
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404PBF
Marke:: Infineon