Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 913-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 69.20
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 08. April 2027
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.384 | CHF 69.08 |
| 100 - 200 | CHF 1.222 | CHF 61.00 |
| 250 - 450 | CHF 1.192 | CHF 59.39 |
| 500 - 950 | CHF 1.162 | CHF 57.87 |
| 1000 + | CHF 1.131 | CHF 56.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.004Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 131nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.004Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 202A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 333W maximale Verlustleistung - IRF1404PBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welche Art von Spannung kann verwaltet werden?
Wie wirkt sich der geringe Durchlasswiderstand auf die Effizienz des Systems aus?
Welchen Temperaturen kann es im Betrieb standhalten?
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Was ist die Bedeutung des TO-220AB-Gehäuses?
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