Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Stock No.:: 913-3837
Mfr. Part No.:: IRF1404PBF
Brand:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Stock No.:: 913-3837
Mfr. Part No.:: IRF1404PBF
Brand:: Infineon

Specifications

Technical Reference

Legislation and Compliance

Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	202A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.004Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	333W
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	131nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.004Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 333W
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 202A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 333W maximale Verlustleistung - IRF1404PBF

Dieser Leistungs-MOSFET wurde für einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen entwickelt, was ihn für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik wichtig macht. Die verwendeten fortschrittlichen Verarbeitungstechniken gewährleisten einen minimalen Durchlasswiderstand und einen großen Betriebstemperaturbereich, was die Anwendbarkeit des Systems erweitert.

Eigenschaften und Vorteile

• Ein kontinuierlicher Drain-Strom von 202A unterstützt eine robuste Leistung

• Niedriger Rds(on) von 4mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Schnelle Umschaltfunktionen verbessern die Gesamtleistung

• Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen, die bis zu 175°C betragen können

• Einsatz von Si-MOSFET-Technologie für effektives Wärmemanagement

• Wird in einem TO-220AB-Gehäuse zur einfachen Montage geliefert

Anwendungsbereich

• Einsatz in industriellen Automatisierungssystemen für effizientes Leistungsschalten

• Geeignet für Hochstrommotorsteuerungen und -antriebe

• Ideal für die Energieversorgung vorrang für Effizienz

• Einsatz in Systemen zur Nutzung erneuerbarer Energien für ein effektives Energiemanagement

Welche Art von Spannung kann verwaltet werden?

Der Baustein unterstützt Spannungspegel von bis zu 40 V zwischen Drain und Source und ist damit vielseitig für verschiedene Spannungsregelungsanwendungen einsetzbar.

Wie wirkt sich der geringe Durchlasswiderstand auf die Effizienz des Systems aus?

Der niedrige Rds(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was zu einer verbesserten Systemeffizienz führt, da die Energieverschwendung minimiert wird.

Welchen Temperaturen kann es im Betrieb standhalten?

Er ist für einen effizienten Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C ausgelegt und eignet sich somit für anspruchsvolle Umgebungen.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?

Ja, er kann gepulste Drain-Ströme bis zu 808A aufnehmen, was Flexibilität für verschiedene Anwendungsanforderungen bietet.

Was ist die Bedeutung des TO-220AB-Gehäuses?

Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung und eine bequeme Montage und eignet sich sowohl für kommerzielle als auch für industrielle Anwendungen.