Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 55 V / 51 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
688-7308
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ44ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

8.77mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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