Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 55 V / 51 A 110 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
145-8612
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ44ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

8.77mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MX

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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