Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 543-1083
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-84-006
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404PBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.004Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 131nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.004Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 131nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 202A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 333W maximale Verlustleistung - IRF1404PBF
Dieser Leistungs-MOSFET wurde für einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen entwickelt, was ihn für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik wichtig macht. Die verwendeten fortschrittlichen Verarbeitungstechniken gewährleisten einen minimalen Durchlasswiderstand und einen großen Betriebstemperaturbereich, was die Anwendbarkeit des Systems erweitert.
Eigenschaften und Vorteile
• Ein kontinuierlicher Drain-Strom von 202A unterstützt eine robuste Leistung
• Niedriger Rds(on) von 4mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Schnelle Umschaltfunktionen verbessern die Gesamtleistung
• Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen, die bis zu 175°C betragen können
• Einsatz von Si-MOSFET-Technologie für effektives Wärmemanagement
• Wird in einem TO-220AB-Gehäuse zur einfachen Montage geliefert
Anwendungsbereich
• Einsatz in industriellen Automatisierungssystemen für effizientes Leistungsschalten
• Geeignet für Hochstrommotorsteuerungen und -antriebe
• Ideal für die Energieversorgung vorrang für Effizienz
• Einsatz in Systemen zur Nutzung erneuerbarer Energien für ein effektives Energiemanagement
Welche Art von Spannung kann verwaltet werden?
Der Baustein unterstützt Spannungspegel von bis zu 40 V zwischen Drain und Source und ist damit vielseitig für verschiedene Spannungsregelungsanwendungen einsetzbar.
Wie wirkt sich der geringe Durchlasswiderstand auf die Effizienz des Systems aus?
Der niedrige Rds(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was zu einer verbesserten Systemeffizienz führt, da die Energieverschwendung minimiert wird.
Welchen Temperaturen kann es im Betrieb standhalten?
Er ist für einen effizienten Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C ausgelegt und eignet sich somit für anspruchsvolle Umgebungen.
Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?
Ja, er kann gepulste Drain-Ströme bis zu 808A aufnehmen, was Flexibilität für verschiedene Anwendungsanforderungen bietet.
Was ist die Bedeutung des TO-220AB-Gehäuses?
Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine effektive Wärmeableitung und eine bequeme Montage und eignet sich sowohl für kommerzielle als auch für industrielle Anwendungen.
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